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石英坩堝:廢品是如何產(chǎn)生的?
發(fā)布時(shí)間:2024-05-07 來(lái)源:名德光電 瀏覽次數(shù):699次
石英坩堝在光伏和半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演著重要角色,用于拉制大直徑單晶硅棒。然而,石英坩堝在熔制和使用過(guò)程中常出現(xiàn)質(zhì)量缺陷,嚴(yán)重影響拉晶質(zhì)量。高雜質(zhì)含量或氣泡會(huì)導(dǎo)致硅片良率下降,甚至導(dǎo)致大量產(chǎn)品報(bào)廢。

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微氣泡

石英坩堝具有半透明的外觀,由外層和內(nèi)層兩部分組成。外層也稱(chēng)為氣泡復(fù)合層,含有較多氣泡,不透明;內(nèi)層則是氣泡空乏層,透明且不含氣泡,厚度為3~5mm??刂欺釄逋该鲗又形馀莸暮繉⒂绊懫鋲勖?。在高溫下熔制時(shí),內(nèi)表面不斷與硅液接觸并溶解,導(dǎo)致透明層中的微氣泡逐漸增大,最內(nèi)表面的氣泡會(huì)破裂,釋放出石英微顆粒和微氣泡。這些雜質(zhì)以微顆粒和微氣泡的形式隨著硅液流動(dòng)到整個(gè)硅熔體中,直接影響硅的晶體生長(zhǎng)和單晶硅的質(zhì)量。

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透明層氣泡對(duì)石英坩堝的影響示意圖來(lái)源:胡澤晨等.石英砂的提純技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

在石英坩堝的制造過(guò)程中,由于溫度極高,表面液體包裹體會(huì)吸收膨脹,導(dǎo)致坩堝表面出現(xiàn)氣泡和裂紋,進(jìn)而影響坩堝的質(zhì)量。同時(shí),石英坩堝的內(nèi)壁與硅熔體接觸,在高溫狀態(tài)下,如果內(nèi)壁存在氣泡,這些氣泡會(huì)釋放氣體和雜質(zhì)到熔體中,從而干擾單晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程。

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來(lái)源:歐晶科技

產(chǎn)生原因:

石英顆??p隙之間存在空氣;石英砂中存在氣液包裹體。

解決方案:

(1) 選擇高品質(zhì)、低氣液包裹體含量的石英砂作為石英坩堝的原料,以確保高純度石英砂中的氣液包裹體數(shù)量較少。

(2) 對(duì)石英坩堝的生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化,調(diào)整熔制過(guò)程中的工藝參數(shù),通過(guò)精確調(diào)整和配合各個(gè)工藝參數(shù),進(jìn)一步減少石英砂之間的氣體被包裹在透明層中。

析晶

石英坩堝在高溫下具有趨向變成二氧化硅的晶體(方石英)。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為再結(jié)晶,也稱(chēng)為“失透”,通常也稱(chēng)為“析晶”。析晶通常發(fā)生在石英坩堝的表層。

由于采用低檔次石英砂或者在生產(chǎn)制程中的污染而帶來(lái)的坩堝中的雜質(zhì)含量過(guò)高,往往會(huì)帶來(lái)石英坩堝在本體上的析晶,如果析晶靠近內(nèi)表面,則由于局部的析晶殼層過(guò)厚而極易脫落使單晶拉制無(wú)法繼續(xù)。如果析晶造成外壁較厚的析晶,這種現(xiàn)象往往伴隨著坩堝外壁在析晶前期已經(jīng)過(guò)度軟化貼緊石墨坩堝,而極易產(chǎn)生在底部或者弧度的鼓包現(xiàn)象。如果這種析晶有可能貫穿坩堝本體的話,就會(huì)引起漏硅等一系列嚴(yán)重后果。

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來(lái)源:歐晶科技

產(chǎn)生原因:

析晶主要原因是石英坩堝內(nèi)外表面容易沾污,引起雜質(zhì)離子的局部聚集,特別是堿離子,如K、Na、Li、Ca、Mg等高溫后引起粘度降低,促使失透加速,形成析晶。

(1)員工在操作過(guò)程中標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)不規(guī)范,如在石英坩堝檢驗(yàn)與裝料過(guò)程中,帶入汗水、口水、油污及塵埃等。石英坩堝的生產(chǎn)、清洗及包裝過(guò)程中受到沾污會(huì)使石英坩堝發(fā)生析晶現(xiàn)象。

(2)石英坩堝本身質(zhì)量存在問(wèn)題,石英坩堝的幾何尺寸和外觀是生產(chǎn)工藝決定的,而純度是由原料決定的。石英坩堝所用高純石英砂原料要求純度高、一致性好及粒度分布均勻等。當(dāng)石英坩堝內(nèi)部有害成分較高時(shí),會(huì)影響坩堝的熔制與耐溫性,甚至還會(huì)出現(xiàn)氣泡、色斑、脫皮等現(xiàn)象,嚴(yán)重影響石英坩堝質(zhì)量。

(3)坩堝未經(jīng)徹底煅燒或受到沾污后繼續(xù)投入使用;用于拉晶的原料純度低,所含雜質(zhì)太多(酸、堿離子的殘留)或清洗工藝不盡完善等,這對(duì)坩堝的正常使用影響也非常大,主要表現(xiàn)在容易發(fā)生嚴(yán)重析晶;熔料時(shí)溫度過(guò)高或多次回熔致使石英坩堝長(zhǎng)時(shí)間處在高溫中也將加重析晶的程度。

解決方案:

(1)在單晶拉制生產(chǎn)的整個(gè)過(guò)程中必須嚴(yán)格按照工藝規(guī)程標(biāo)準(zhǔn)操作;

(2)石英坩堝的生產(chǎn)廠商要保證其生產(chǎn)的坩堝從用料到生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)均符合質(zhì)量要求;

(3)拉晶所用的原料純度一定要符合標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的要求,且原料的清洗質(zhì)量也要符合工藝要求,避免硅料表面酸、堿殘留;

(4)新的石墨器件,如石墨坩堝因含有一定的灰粉和其它雜質(zhì),在投入使用前須經(jīng)徹底的高溫煅燒才能使用;

(5)熔料時(shí)選用合適的熔料溫度以減少或降低析晶的程度。

變形

在熔煉過(guò)程中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)石英坩堝變形的問(wèn)題。這種變形不僅會(huì)影響到正常的晶體拉取,嚴(yán)重的情況下甚至無(wú)法進(jìn)行拉晶操作。當(dāng)石英坩堝發(fā)生變形后,在拉晶過(guò)程中,隨著坩堝位置的上升,變形的凸出部分會(huì)與導(dǎo)流筒發(fā)生碰撞。輕微的碰撞會(huì)影響到正常的拉晶操作,而嚴(yán)重的碰撞則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行拉晶。此外,如果熔料中發(fā)生掛邊現(xiàn)象,也會(huì)導(dǎo)致石英坩堝變形。當(dāng)坩堝上口向內(nèi)凸出過(guò)多時(shí),當(dāng)熔料熔化完畢,坩堝位置上升到引晶位置時(shí),就會(huì)直接碰撞到導(dǎo)流筒,這將直接導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行拉晶的嚴(yán)重后果。

產(chǎn)生原因:

 

(1) 羥基含量過(guò)高會(huì)顯著降低坩堝的耐溫性能,因?yàn)榱u基會(huì)改變SiO2的鍵合結(jié)構(gòu)。當(dāng)坩堝中的羥基含量超過(guò)150ppm時(shí),1050攝氏度就會(huì)導(dǎo)致坩堝軟化變形。

(2) 不正確的裝料方法會(huì)導(dǎo)致液位以上的料與石英坩堝呈面接觸狀態(tài),這容易在熔料過(guò)程中發(fā)生掛邊,導(dǎo)致坩堝變形。如果坩堝的最上部全部裝了碎小細(xì)料,那么在熔料過(guò)程中,下部已經(jīng)溶解完,而上部仍處于結(jié)晶狀態(tài),這也會(huì)導(dǎo)致坩堝變形。

(3) 析晶現(xiàn)象會(huì)減薄石英坩堝的厚度,降低坩堝的強(qiáng)度,容易導(dǎo)致石英坩堝變形。

(4) 熔料溫度過(guò)高或過(guò)低都會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題。

(5) 不正確的熔料方法也會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題。

 

解決方案:

重新裝填坩堝時(shí),應(yīng)該注意以下幾點(diǎn):首先,在液位線以下的位置要盡量裝得更加緊實(shí),尤其是在塊料和坩堝壁的中下部,最好采取面接觸的方式。而在液位線以上的位置,則應(yīng)該采用點(diǎn)接觸面,以避免因掛邊而導(dǎo)致坩堝向內(nèi)拉彎變形。另外,在裝填細(xì)小碎料時(shí),應(yīng)該將小料盡量裝入坩堝的中下部,而不是全部倒在最上面??梢粤粢徊糠謮K料放在碎料的頂部,這樣當(dāng)下部原料溶解完時(shí),上部的塊料會(huì)靠重力將碎料一起帶下去。
另外,選擇合適的熔料溫度也是非常重要的。在熔料方法上,應(yīng)該根據(jù)熱屏吊掛的方式采取相應(yīng)的措施,以避免因溶料方法不當(dāng)而導(dǎo)致變形問(wèn)題的發(fā)生。

鼓包

熔料中發(fā)生鼓包且鼓包較大時(shí),在拉晶過(guò)程中隨著液位的下降,鼓包會(huì)漸漸露出液面,這時(shí)已經(jīng)拉出的晶棒會(huì)碰擦鼓包,如不及時(shí)停爐會(huì)發(fā)生晶棒跌落的情況。

產(chǎn)生原因:

(1)石英砂雜質(zhì)含量過(guò)高、粘度較低;

(2)石英坩堝外表面析晶嚴(yán)重,造成反應(yīng)產(chǎn)生的氣體聚集;

(3)燒煉溫度過(guò)高,石英坩堝在高溫下會(huì)變軟,如果燒煉溫度超過(guò)其耐溫極限,它就會(huì)畸變、變形,甚至出現(xiàn)鼓包現(xiàn)象;

(4)石英坩堝因?yàn)殚L(zhǎng)時(shí)間在高溫環(huán)境下,如果突然受到冷卻或者遭受快速的溫度變化,會(huì)引起熱震現(xiàn)象。熱震會(huì)導(dǎo)致坩堝表面出現(xiàn)撕裂甚至鼓包;

(5)石英坩堝在制作過(guò)程中存在生產(chǎn)缺陷,例如存在空洞、氣泡或者裂紋等缺陷,這些問(wèn)題會(huì)出現(xiàn)在使用過(guò)程中,并表現(xiàn)為鼓包等問(wèn)題;

解決方案:

(1)在投料過(guò)程中要注意控制投料量,避免發(fā)生掛邊現(xiàn)象;

(2)合理的投料操作可以減少對(duì)石英坩堝造成的壓力和變形;

(3)在熔化過(guò)程中要密切觀察液面變化情況。發(fā)現(xiàn)有鼓包問(wèn)題應(yīng)及時(shí)采取相應(yīng)的措施來(lái)消除或降低鼓包。

黑點(diǎn)

石英坩堝內(nèi)壁有時(shí)會(huì)出現(xiàn)小到零點(diǎn)幾mm到大到十幾個(gè)mm的黑點(diǎn)。

產(chǎn)生原因:

(1)石英砂原料沒(méi)有充分進(jìn)行提純;

(2)石英砂加工設(shè)備的金屬殘留,對(duì)石英砂產(chǎn)生污染;

(3)在高溫下,設(shè)備的迸濺進(jìn)入坩堝里面;

(4)在石英坩堝上料成型過(guò)程當(dāng)中,人工的操作的不規(guī)范,將外界的一些雜質(zhì)帶入到坩堝里面。

解決方案:

(1)使用高品質(zhì)的石英砂或?qū)κ⑸斑M(jìn)行充分提純除雜;

(2)在生產(chǎn)過(guò)程中嚴(yán)格按照操作工藝規(guī)程認(rèn)真操作。

漏硅

石英砂的雜質(zhì)含量過(guò)高,尤其是堿金屬和堿土金屬,如含有許多Li、Na、K、Ca、Fe雜質(zhì)含量的石英砂用在石英坩堝內(nèi)層,雜質(zhì)會(huì)遷移擴(kuò)散到硅液當(dāng)中,如果它在內(nèi)表面濃度較高,會(huì)形成異常的破壞性析晶,產(chǎn)生的顆粒進(jìn)入到硅液中也會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的斷線,如果濃度更高,則會(huì)形成一個(gè)腐蝕坑,一旦形成腐蝕坑,硅液會(huì)順著坑和縫隙不斷向外腐蝕,最終產(chǎn)生漏硅的風(fēng)險(xiǎn)。

解決方案:

(1)選擇合適的熔料方法,防止因“二次”結(jié)晶發(fā)生漏硅;

(2)在熔料時(shí),根據(jù)不同的熔料場(chǎng),不同的投料量選擇合適的熔料溫度與時(shí)間;

(3)在石英坩堝的生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)避免石英坩堝受到撞擊,以免其受到損傷而產(chǎn)生破裂;

(4)在清洗原料的過(guò)程中應(yīng)該將酸堿殘液徹底沖洗干凈以避免坩堝內(nèi)壁產(chǎn)生嚴(yán)重析晶。

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